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IXGN 60N60
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
g fs
C ies
C oes
C res
Q g
I C = I C90 ; V CE = 10 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle ￡ 2 %
V CE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz
30
55
4000
290
100
200
S
pF
pF
pF
nC
M4 screws (4x) supplied
Q ge
Q gc
I C = I C90 , V GE = 15 V, V CE = 0.5 V CES
35
80
nC
nC
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
31.50 31.88
Inches
Min. Max.
1.240 1.255
t d(on)
t ri
t d(off)
t fi
E off
t d(on)
t ri
E on
t d(off)
t fi
E off
Inductive load, T J = 25 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V, L = 100 m H,
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.7 W
Remarks: Switching times may increase
for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES , higher T J or
increased R G
Inductive load, T J = 125 ° C
I C = I C90 , V GE = 15 V, L = 100 m H
V CE = 0.8 V CES , R G = R off = 2.7 W
Remarks: Switching times may increase
for V CE (Clamp) > 0.8 ? V CES , higher T J or
increased R G
50
30
300
360
8
50
30
3
650
550
17
600
570
15
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
R thJC
0.50 K/W
R thCK
0.05
K/W
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-2
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IXGN60N60C2D1
功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN72N60A3
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IXGN72N60C3H1
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RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGN80N60A2
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IXGN80N60A2D1
功能描述:IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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IXGN82N120C3H1
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RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube